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Qualcomm non si tira indietro ed allo Snapdragon Technology Summit di New York ha presenta il futuristico chip pensato per superare tutti i limiti dei fratelli minori, seppur in maniera non estrema: lo Snapdragon 835.
Il nuovo processore non ha ancora delle specifiche complete aperte al pubblico, tuttavia sembra che verrà realizzato con il processo produttivo a 10nm con tecnologia FinFET ideato da Samsung. La tecnologia a 10 nanometri consente di ottenere un aumento fino al 27% della performance e fino al 40% dell’autonomia (minori le dimensioni, minore il consumo energetico).
uno degli aspetti più interessanti del processore risiede anche nella nuova versione della tecnologia Quick Charge integrata, la 4, compatibile con USB Type-C e USB Power Delivery. Qualcomm promette tempi di ricarica fino al 20% inferiori a quelli di Quick Charge 3, cinque ore di autonomia con cinque minuti di carica e un livello del 50% in meno di 15 minuti. Inoltre, la nuova versione introduce il riconoscimento automatico della qualità del cavo, misurando costantemente temperatura e voltaggio.
Il processore prenderà il posto di Snapdragon 820/821 e dovrebbe essere messo in commercio il primo semestre del 2017.
